杀害班花逃15年

“钼”成300层+NAND必选项 机构：沉积设备迎10亿美元增量市场_我的网站

A |     　　当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。　　SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。    近日，网易对外公布2026年第二季度及中期未经审计财务业绩。数据显示，公司上半年整体营收约607亿元，游戏及相关增值服务净收入达到507亿元，同比上涨8.3%，游戏依旧为公司营收的主要来源。在财报的业务回顾部分，网易梳理了存量产品、海外市场拓展以及新游储备的实际进展。五款产品得到财报点名，分别是《梦幻西游》《第五人格》《蛋仔派对》《逆水寒》以及《燕云十六声》。其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。财报判断，这几款产品依靠版本内容迭代、玩法改动以及社区运营，整体市场表现保持稳定。长线老产品能够维持收入，一部分原因来自持续的版本运营。

B | 　　更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。以《梦幻西游》为例，畅玩服的推出给老玩家提供新的选择，拉长产品生命周期，不少运营多年的国产网游，都在用类似方式延续产品活力。海外市场方面，网易依旧在推进出海布局。

C | 《漫威争锋》与《燕云十六声》面向北美、欧洲地区持续投放版本内容，落地各类社区活动，以此积累海外用户，扩大产品在海外市场的受众范围。　　该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。　　受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。两款产品在海外平台收获不少热度，也可以看出网易自研产品向外输出的节奏还在继续。新品梯队上，7月国内上线的《遗忘之海》已经正式和玩家见面。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。

D | 《无限大》与《归唐》两款作品的开发工作仍在推进，不同题材的项目并行开发，用来扩充网易的产品矩阵，覆盖更多游戏品类。从财报电话会议释放的信息来看，《遗忘之海》上线初期遇到理解门槛的问题，官方已经在根据玩家反馈调整内容，后续还规划有海外发行计划。

E | 　　钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。行业层面经常传出网易游戏内部人员与业务层面的调整消息，但从半年财报给出的数据来看，游戏板块收入保持稳定。

F | 国内存量产品靠更新维持流水，出海产品逐步打开市场，多款在研新作等待上线，几条业务线同步运转。　　300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。

G | 　　375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。后续新品能否承接市场期待，也会影响网易游戏接下来一段时间的走势。

H | 　　中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。

I | 你更看好网易哪一款待上线新作的市场表现？欢迎在评论区留下你的看法～。　　然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。　　基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。

J | 　　爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中——　　沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；　　输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送；　　CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；　　清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；　　刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；　　量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。　　该机构称，NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新，新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级，Mo字线导入将推动沉积、刻蚀、清洗等关键环节工艺升级，相关设备及零部件厂商有望受益。（文章来源：科创板日报）。

Current article:http://www.rangnehongranlinren.bond/l47/nkxleb0.docx

Published on:09:04:49